1.1.1 概述
同步动态随机存取内存(synchronousdynamic randon-access menory,简称SDRAM)是有一个同步接口的动态随机存取内存(DRAM)。通常DRAM是有一个异步接口的,这样它可以随时响应控制输入的变化。而SDRAM有一个同步接口,在响应控制输入前会等待一个时钟信号,这样就能和计算机的系统总线同步。时钟被用来驱动一个有限状态机,对进入的指令进行管线操作。这使得SDRAM与没有同步接口的异步DRAM相比,可以有一个更复杂的操作模式。
管线意味着芯片可以在处理完之前的指令前,接受一个新的指令。在一个写入的管线中,写入命令在另一个指令执行完之后可以立刻执行,而不需要等到数据写入存储队列的时间。在一个读取的流水线中,需要的数据在读取指令发出之后固定数量的时钟频率后到达,而这个等待的过程可以发出其他附加指令。这种延迟被称为等待时间(Latency),在为计算机购买内存时是一个很重要的参数。
SDRAM之所以称为DRAM就是因为他要不断进行刷新才能保留住数据,因为刷新是DRAM最重要的操作。那么要隔多长时间重复一次刷新,目前公认的标准是,存储体中电容的数据有效保存期上限是64ms,也就是每一行刷新的循环周期是64ms。
SDRAM是多Bank结构,例如在一个具有两个Bank的SDRAM模组中,其中一个Bank在进行预充电期间,另一个Bank却马上可以被读取,这样当进行一次读取后,又马上读取已经预充电Bank的数据时,就无需等待而是可以直接读取了,这也就大大提高了存储器的访问速度
1.1.2 设计目标
设计SDRAM读写控制器来控制开发板上的一片SDRAM进行读写数据的操作,具体功能要求如下:
1. SDRAM的读写分别由两个按键进行控制,每按下一次,就会产生一个读使能或者写使能;
2. SDRAM读写模式为全页突发模式,每次写入某个Bank512个数据,在读此Bank的时候,也应该读出相同的512个数据;
3. SDRAM读写地址都是从地址0开始;
4. 通过一个按键控制读写SDRAM的Bank地址,按键每按下一次,Bank地址加1。
1.1.3 系统结构框图
系统结构框图如下图一所示:
图一
1.1.4模块功能
按键检测模块实现功能
1、 将外来异步信号打两拍处理,将异步信号同步化。
2、 实现20ms按键消抖功能。
3、 实现矩阵键盘或者普通案件的检测功能,并输出有效按键信号。
锁相环
1、产生工程所需要的100M时钟。
数据产生模块实现功能
1、 通过按键控制产生读/写请求。
2、 通过按键控制Bank地址选择。
3、 产生地址和写数据。
SDRAM接口模块实现功能
1、 接收上游模块发送的读/写请求、Bank地址、行地址和写数据,产生SDRAM的控制时序。
1.1.5顶层信号
信号名
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4位按键信号,开发板按键为矩阵键盘时,不需要该信号
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4位矩阵键盘列信号,默认高电平,开发板按键为普通按键时,不需要该信号
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4位矩阵键盘行信号,默认低电平,开发板按键为普通按键时,不需要该信号
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SDRAM数据总线,既能作为数据输出,也能作为数据输入。
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SDRAM时钟使能信号,决定是否启用clk输入,为高电平时,时钟有效。
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SDRAM片选信号,决定设备内是否启用命令输入,当cs为低时启用,当cs为高时禁用命令输入。
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数据掩码,控制I/O的高低字节,低电平有效。例如:2’b10,表示数据高字节无效,低字节有效。
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Bank地址选择信号,通过该信号决定哪个Bank正处于激活、读、写、预充电等命令期间。
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SDRAM输入时钟,除cke外,SDRAM的所有输入与该引脚的上升沿同步获得。
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1.1.6三态门
由于SDRAM只有一条数据总线,虽然可以既当作输入,又当作输出来用,但是输入和输出是不能同时进行的,因此需要在工程的顶层设计中采用三态门。代码如下:
关于三态门详细的介绍可以看明德扬《FPGA至简设计原理与应用》书中的第一篇第三章5.2.4高阻态一节。
1.1.7参考代码
下面是使用工程的顶层代码:
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module sdram_top(
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clk ,
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rst_n ,
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key ,
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dq ,
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cke ,
-
cs ,
-
ras ,
-
cas ,
-
we ,
-
dqm ,
-
sd_addr ,
-
sd_bank ,
-
sd_clk
-
);
-
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input clk ;
-
input rst_n ;
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input [3:0] key ;
-
inout [15:0] dq ;
-
output cke ;
-
output cs ;
-
output ras ;
-
output cas ;
-
output we ;
-
output [1 :0] dqm ;
-
output [12:0] sd_addr ;
-
output [1 :0] sd_bank ;
-
output sd_clk ;
-
-
-
-
wire cke ;
-
wire cs ;
-
wire ras ;
-
wire cas ;
-
wire we ;
-
wire [1 :0] dqm ;
-
wire [12:0] sd_addr ;
-
wire [1 :0] sd_bank ;
-
wire sd_clk ;
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wire clk_100m ;
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wire wr_ack ;
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wire rd_ack ;
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wire wr_req ;
-
wire rd_req ;
-
wire [1 :0] bank ;
-
wire [12:0] addr ;
-
wire [15:0] wdata ;
-
wire [15:0] rdata ;
-
wire rdata_vld;
-
wire [3:0 ] key_vld ;
-
-
wire [15:0] dq_in ;
-
wire [15:0] dq_out ;
-
wire dq_out_en;
-
-
assign dq_in = dq;
-
assign dq = dq_out_en?dq_out:16'hzzzz;
-
-
-
-
pll_100m uut_pll(
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.inclk0 (clk ),
-
.c0 (clk_100m )
-
);
-
-
key_module uut_key(
-
.clk (clk_100m ),
-
.rst_n (rst_n ),
-
.key_in (key ),
-
.key_vld (key_vld ),
-
);
-
-
data_ctrl uut_ctrl(
-
.clk (clk_100m ),
-
.rst_n (rst_n ),
-
.key_vld (key_vld ),
-
.wr_ack (wr_ack ),
-
.rd_ack (rd_ack ),
-
.wr_req (wr_req ),
-
.rd_req (rd_req ),
-
.bank (bank ),
-
.addr (addr ),
-
.wdata (wdata )
-
);
-
-
sdram_intf uut_sdram(
-
.clk (clk_100m ),
-
.rst_n (rst_n ),
-
.wr_req (wr_req ),
-
.rd_req (rd_req ),
-
.bank (bank ),
-
.addr (addr ),
-
.wdata (wdata ),
-
.dq_in (dq_in ),
-
.dq_out (dq_out ),
-
.dq_out_en (dq_out_en),
-
.wr_ack (wr_ack ),
-
.rd_ack (rd_ack ),
-
.rdata (rdata ),
-
.rdata_vld (rdata_vld),
-
.cke (cke ),
-
.cs (cs ),
-
.ras (ras ),
-
.cas (cas ),
-
.we (we ),
-
.dqm (dqm ),
-
.sd_addr (sd_addr ),
-
.sd_bank (sd_bank ),
-
.sd_clk (sd_clk )
-
-
);
-
-
-
-
endmodule
-
复制代码
1.2 按键检测模块设计
1.5.1接口信号
信号名
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SDRAM时钟使能信号,决定是否启用clk输入,为高电平时,时钟有效。
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SDRAM片选信号,决定设备内是否启用命令输入,当cs为低时启用,当cs为高时禁用命令输入。
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数据掩码,控制I/O的高低字节,低电平有效。例如:2’b10,表示数据高字节无效,低字节有效。
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Bank地址选择信号,通过该信号决定哪个Bank正处于激活、读、写、预充电等命令期间。
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SDRAM输入时钟,除cke外,SDRAM的所有输入与该引脚的上升沿同步获得。
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1.5.2SDRAM工作流程
SDRAM初始化
再SDRAM内部有一个逻辑控制单元,并且有一个模式寄存器为其提供控制参数。每次开机时SDRAM都要先对这个控制逻辑核心进行初始化。SDRAM必须以预定义的方式启动和初始化。在电源同时作用于Vdd和Vddq后开始初始化SDRAM,此时的时钟稳定并且将数据掩码和时钟使能信号拉高。在向SDRAM发送命令之前需要有100us的延时,此时SDRAM不执行任何操作。在100us延时满足后,需要对Bank进行预充电,在此期间所有的Bank处于空闲状态。预充电之后会有至少两个自刷新操作,完成自刷新便可以对SDRAM进行模式寄存器配置。下面是初始化的时序图
从上图中可以看出,上电后等待时间为T=100us,预充电操作需要的时间为TRP,一次自刷新需要的时间是TRC,加载模式寄存器需要的时间为TMRD。
在初始化中的预充电期间,地址线A10定义自动预充电,以确定是否所有Bank都被预充电,也可以通过Bank地址选择信号BA0和BA1来决定进行预充电的Bank地址。在加载模式寄存器期间,地址线A0到A11一起组成命令码。
SDRAM行激活
初始化完成之后,在向SDRAM发送读或者写命令之前必须打开该Bank中的一行,通过ACTIVE命令来确定要激活的Bank和行。要想对一个Bank中的阵列进行寻址,首先要确定行(Row),然后确定列。片选信号与Bank选择信号与行有效同时进行,下面是激活的时序图
从上图中可以看出,在片选信号、Bank地址选定的同时,行地址选通信号RAS也处于有效状态,此时An地址线发送具体的行地址。行地址位宽为12,共可以指示2^12=4096个具体的行地址。当行地址被激活后,相应的Bank也被激活,因此行激活又叫L-Bank激活。
列选择
行地址确定后,就要对列地址进行寻址,地址线仍使用A0~A11,即行地址与列地址共用地址线。当列地址选通后,就需要对SDRAM进行读写,而给SDRAM读命令还是写命令由WE信号决定。当WE信号拉低时,SDRAM接收到的是写命令;当WE拉高,SDRAM接收读命令。列寻址信号与读写命令是同时发出的。虽然地址线与行寻址共用,但列地址选通脉冲CAS则可以区分开行与列寻址的不同,配合A0~A9、A11来确定具体的地址。
在发送列读写命令时必须要与有效命令有一个时间间隔,这个时间间隔被定义为TRCD。
读操作
读命令从输入信号BA0、BA1中选取要进行读数据操作的BANK,并在已激活的行中进行突发读写操作。输入的A0~A7用来进行列寻址。在选定列地址后,就已经确定了具体的存储单元,剩下的事情就是数据通过dq输出到内存总线上了。但是再CAS发出之后,仍要经过一定的时间才能有数据输出,从CAS与读取命令发出到第一个数据输出的这段时间,被定义为CALLatency(CAS潜伏期)。由于此现象只在读的时候出现,所以又称作读潜伏期
由于存储体中晶体管存在反应时间,从而造成数据不可能与CAS 在同一上升沿触发,因此要延后至少一个时钟周期。考虑到芯片体积较小的因素,存储单元中的电容容量很小,所以信号要经过放大来保证其有效的识别性,这个放大/驱动工作由 S-AMP 负责,一个存储体对应一个 S-AMP 通道。但它要有一个准备时间才能保证信号的发送强度(事前还要进行电压比较以进行逻辑电平的判断),因此从数据 I/O 总线上有数据输出之前的一个时钟上升沿开始,数据即已传向 S-AMP,也就是说此时数据已经被触发,经过一定的驱动时间最终传向数据 I/O 总线进行输出,这段时间我们称之为 tAC(Access-Time-from-CLK,时钟触发后的访问时间),单位是 ns。在突发读操作完成后,如果选择了自动预充电模式,那么该行就会直接进入充电。如果没有选择此模式,那么该行将保持打开状态,供后续访问。自动预充电模式的选择与 A10的值有关,A10 为高时为自动预充电命令模式。
写操作
数据写入的操作也是在 tRCD 之后进行,但此时没有 CL(CL 只出现在读取操作中),行寻址与列寻址的时序一样致,只是在列寻址时,WE#为有效状态。由于数据信号由控制端发出,输入时芯片无需做任何调校,只需直接传到数据输入寄存器中,然后再由写入驱动器进行对存储电容的充电操作,因此数据可以与 CAS 同时发送,也就是说写入延迟为 0。不过,数据并不是即时地写入存储电容,因为选通三极管(就如读取时一样)与电容的充电必须要有一段时间,所以数据的真正写入需要一定的周期。
突发读写
突发(Burst)是指在同一行中相邻的存储单元连续进行数据传输的方式,连续传输所涉及到存储单元(列)的数量就是突发长度(Burst Lengths,简称 BL)。前文讲到的读/写操作,都是一次对一个存储单元进行寻址,如果想要连续的向 SDRAM 中读数据或者写数据,就需要对当前存储单元的下一个单元进行寻址,也即是需要不停给 SDRAM 列激活信号以及读/写命令(行地址不变,所以不用再对行寻址)。虽然由于读/写延迟相同可以让数据的传输在 I/O 端是连续的,但它占用了大量的内存控制资源,在数据进行连续传输时无法输入新的命令,效率很低。为此,人们开发了突发传输技术,只要指定起始列地址与突发长度,SDRAM 就会不再需要控制器连续地提供列地址,依次地自动对后面相应数量的存储单元进行读/写操作。这样,在突发模式读写中,除了第一个数据的传输需要若干个周期(主要是之前的延迟,一般的是tRCD+CL),其后每个数据只需一个周期的即可获得。至于突发长度 BL 的数值,也是不能随便设或在数据进行传输前临时决定,而是在上文讲到的 SDRAM 初始化过程中模式寄存器配置阶段就要对突发长度进行设置。目前可用的选项是 1、2、4、8、全页(FullPage),常见的突发长度设定是 BL=4、BL=8 或者全页突发模式。
1.5.3设计思路
经过上面对SDRAM工作流程的介绍,可以采用状态机作为本工程的一个架构,根据指令的不同,划分为8个状态,分别为空操作(NOP)、预充电(PER)、自刷新(REF)、加载模式寄存器(MOD)、空闲(IDL)、激活(ACT)、读数据(RED)和写数据(WIR)。
由于每个操作需要的时间都不同,因此需要一个计数器来对每个操作需要的时间进行计数。
该计数器加一条件为state_c!=IDL,表示只要不是处于空闲状态,就进行计数;结束条件为数x个,x根据目前所处的状态的不同而不同,具体数据可以看下面的表格。
由于再初始化阶段,自刷新需要连续进行两次,因此需要将初始化阶段区分出来,设计一个初始化指示信号init_flag:该信号初始状态为高电平,表示上电之后SDRAM处于初始化阶段;当初始化完成之后变为低电平,因此从高变低的条件为mod2idl_start。
自刷新计数器cnt1:该计数器表示初始化阶段进行自刷新的次数。加一条件为(init_flag && state_c==REF && end__cnt),表示在初始化阶段,如果当前状态为自刷新,则时钟计数器数完一次就加一;结束条件为数两个,初始化阶段共进行两次自刷新,因此只需要数两个即可。
在初始化完成之后,需要进行自刷新、读数据和写数据等操作,由于自刷新是必须进行的,因此自刷新请求的优先级是最高的,那么读请求和写请求的优先级怎么确定呢?假设设置读请求的优先级高于写请求,读请求和写请求一起来的时候,总是先执行读请求,如果读请求一直有效的话,便不会执行写操作。反之设置写请求的优先级高于读请求,也会出现这样的问题,这当然是不可以的。因此我们设置为如果两个请求不是同时有效,则哪一个有效便执行哪一个。如果同时来的时候,第一次同时来,先执行写操作,第二次同时有效的时候在执行写操作,如此交替进行即可。通过两个信号进行控制:
读操作指示信号flag_rd:初始状态为低电平,表示上一次执行的写操作;从低变高的条件为state_c==RED,表示如果执行的是读操作,则置为高电平;当执行的是写操作的时候,该信号置为0,所以变0的条件是state_c==WIR。
读写同步指示信号flag_syn:初始状态为0,表示读写请求没有同时有效,如果当前处于激活状态,并且读写请求同时有效,则置为1,当激活状态结束,重新变为0。
设计中的辅助信号已经完成的差不多了,下面开始进行状态机的架构,架构图如下图所示:
下面介绍一个各个状态之间的跳转条件。
上电之后,先进入空操作状态,在空操作状态下:
1、 延时100us之后,进入到预充电状态。
当处于预充电状态的时候:
1、 如果处于初始化阶段,两个时钟周期之后,跳转到自刷新状态。
2、 如果不是初始化阶段,两个时钟周期之后,跳转到空闲状态。
当处于自刷新状态时:
1、 如果处于初始化状态,7个时钟周期之后,跳转到自刷新状态。
2、 如果处于初始化状态,并且已经进行过一次初始化,7个时钟周期之后,跳转到加载模式寄存器状态。
3、 如果不是初始化阶段,7个时钟周期之后,跳转到空闲状态。
当处于加载模式寄存器状态时:
1、 2个时钟周期之后,进入到空闲状态。
当处于空闲状态时:
1、 如果收到自刷新请求,则跳转到自刷新状态。
2、 如果自刷新请求无效,收到读/写请求,则跳转到激活状态。
当处于处于激活状态时:
1、 当读写请求不同时的时候,接收到读请求,则跳转到读状态。
2、 当读写请求不同时的时候,接收到写请求,则跳转到写状态
3、 当读写请求同时到达的时候,第一次来的时候,首先响应读请求,跳转到读状态
4、 当读写请求同时到达,但不是第一次同时有效的时候,则根据上一次执行的操作进行判断,如果上一次执行的读操作,则这次执行写操作,跳转到写状态;如果上一次执行的写操作,则这次执行读操作,跳转到读状态。
当处于写状态的时候:
1、 写数据完成,就进入到预充电状态。
当处于读状态的时候:
1、 读数据完成,就进入到预充电状态。
指令集信号conmand:该信号共4bit,从最高位到最低位分别表示cs、ras、cas、we。在空操作阶段,指令为4’b0111;在预充电阶段,指令为4’b0010;在自刷新阶段,指令为4’b0001;在加载模式寄存器阶段,指令为4’b0000;在激活阶段,指令为4’b0011;在读数据阶段,指令为4’b0101;在写数据阶段,指令为4’b0100。这些操作对应的指令码都是从图中的表格中查找得来。
数据掩码dqm:初始状态为2’b11,表示输入得两个字节数据无效。当初始化完成之后,变为2’b00,表示输入得两个字节数据有效。
时钟使能cke:复位时为0,表示输入时钟无效,复位结束之后为1,表示输入时钟有效。
Bank选择信号sd_bank:初始状态为2’b00,表示选择Bank0;在激活阶段、读阶段和写阶段,该信号由输入得bank信号决定。
SDRAM地址选择信号sd_addr:由于本工程采用的预充电模式为全Bnak自动预充电,该模式由地址线A10控制,因此在预充电得时候,地址指令为13’b001_0_00_000_0_000;在激活的时候提供行地址;在加载模式寄存器得时候,地址线提供运算码,这时每个地址表示得意思入下图所示,A9决定读模式,A6、A5、A4决定读数据得潜伏期,A3决定突发类型,A2、A1、A0决定突发长度。
由于MP801开发板使用得SDRAM有两种型号,一种是W9812G6KH,共4096行,自刷新周期为1562,另一种是H57V2562GTR,共8192行,自刷新周期为780。在使用得时候需要注意开发板型号,这里我们以H57V2562GTR为例。自刷新需要以下信号:
时钟计数器cnt_780:该计数器主要得作用是初始化结束之后,数自刷新得周期;加一条件为init_flag==0,表示初始化结束就开始计数;结束条件为数780个,数完就清零。
自刷新请求ref_req:初始状态为0,表示不需要进行自刷新,当时钟计数器cnt_780数完得时候,ref_req拉高,请求进行自刷新,如果当前处于空闲状态,则进行自刷新,如果不是,则等待。
可能有人会想,如果不是空闲状态,就要等待,这样会不会对数据保存造成影响?其实不会得,存储器要求64ms全部刷新一遍,但不需要每一行刷新得间隔都一样。当时钟计数器cnt_780数完之后,产生自刷新请求,同时时钟计数器又会开始计数,所以可能自刷新得间隔不同,但每一行肯定能在64ms内刷新1次。
写SDRAM数据信号dq_out:该信号直接等于写数据wdata(注意,需要用组合逻辑实现)。
三态门使能信号dq_out_en:初始状态为0,表示使能无效,在写数据期间,变为高电平,表示使能有效。
读SDRAM数据信号rdata:直接将sdram输出数据dq_in连接即可。
读数据有效指示信号rdata_vld:由于存在读数据潜伏期,根据设置得潜伏期得长度,将rdata_vld进行相应得延时。
1.5.4参考代码
1.6 效果和总结
该工程得上板效果使用signaltap进行捕捉来观测的,因此不同开发板的上板效果是一样,那么下面就只介绍mp801的上板现象。
下图是写数据的情况,Bank地址为0。写入SDRAM的数据为0~255。
下图是读数据的情况,Bank地址为0,潜伏期为2,读出的数据为0~255。
下图是读数据的情况,Bank地址为1,潜伏期为2,读出的数据不是0~255,这是因为我们写数据的地址是Bank0,而不是Bank1,Bank1中是没有数据,所以读出的数据就不是确定的。
设计教学视频和源工程代码可以访问明德扬论坛(http://www.fpgabbs.cn/)进行相关工程设计学习:http://www.fpgabbs.cn/thread-1151-1-1.html